דוב פרוהמן

תרגום תקציר FAMOS-A NEW SEMICONDUCTOR CHARGE STORAGE DEVICE 1974 דוב באינטל ממציא את ה EPROM מאמר ב רישמי של אינטל תקציר (Abstract): מתואר התקן חדש לאגירת מטען בלתי נדיף. מבנה ה-FAMOS ‏(Floating Gate Avalanche Injection MOS) הוא טרנזיסטור אפקט שדה עם שער סיליקון מסוג p-channel, שבו אין כל מגע חשמלי לשער הסיליקון. המבנה משלב את רעיון השער הצף יחד עם הזרקת אלקטרונים באמצעות תהליך אוולנש (Avalanche Injection) מאזור הדלדול בפני השטח של צומת p-n, ובכך מתקבלות תכונות טעינה ניתנות לשחזור יחד עם שמירת מטען לטווח ארוך.